Produktbeschreibung
Der Oxidationsdiffusionsofen ist eine wichtige Prozessausrüstung für die Herstellung von PV -Zellen. Es mischt und diffundiert die Spurenmengen von Bor, Phosphor und anderen Elementen auf dem Siliziumwafer bei hohen Temperaturen, um PN -Übergänge vorzubereiten und integrierte Schaltkreise daraus zu bestimmen. Es kann auch zur Vorbereitung von SiOx -Filmen auf der Oberfläche des Siliziumwafers verwendet werden, um Wafer zu schützen.
Es ist üblich, Thermoelemente zu verwenden, die sowohl die inneren als auch die äußeren Teile des Ofens messen, um die innere Temperatur des Diffusionsofens zu kontrollieren, der den Oxidationsprozess durchführen könnte. Jede angegebene Temperaturzone verfügt über ein äußeres und inneres Thermoelement, um sicherzustellen, dass die Messergebnisse zuverlässig sind. Die inneren Thermoelemente werden verwendet, um die Wafertemperatur zu messen. Sie hat üblicherweise 3 ~ 9 Messpunkte, was die Wafertemperatur genau darstellt. Die äußeren Thermoelemente werden verwendet, um die äußere Oberfläche des Ofenrohrs zu erfassen, jeweils nur ein Paar Drähte, um eine indirekte Messung des Ofens zu ergeben. Normalerweise ist die Temperatur des Oxidationsprozesses niedriger als der Diffusionsprozess. Daher könnte K- und N -Hauptmultipoint -BF -Thermoelement eingesetzt werden.
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Technische Parameter |
Hauptmultipoint -BF -Thermoelement |
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Innen |
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Typ |
K,N |
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Draht- oder MIMS -Durchmesser |
φ2~4 |
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Arbeitstemperatur (Abschluss) |
0~950 |
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Genauigkeit (Abschluss) |
± 1,5 oder 0. 4%· t |
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Schutzrohrlänge (mm) |
Weniger als oder gleich 4000 |
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Schutzrohrdurchmesser (mm) |
φ14~22 |
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Schutzrohrmaterial |
310s oder 321 |
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Heiße Endstruktur |
Isoliert |
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Anzahl der Punkte |
3 ~ 9 Punkte |
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Beendigung |
Kleiner Stecker |
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Kompensationsdraht |
Kx (nx) {{0}} × 0,5FPF |
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Struktureigenschaften |
Einfach zu zerstörungen, t/c für einen beliebigen Punkt kann bei Bedarf entfernt werden |
Produktdetails



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